各种金属、化合物粉
钽、铌材料
钽、铌金属粉末
钽和铌是熔点分别为3017℃和2477℃的耐金属。
作为电介质，能形成极薄但高密度的氧化层，是适用于电容器阳极的极佳材料。
半导体布线中会用到铜，为防止铜扩散到半导体层，使用钽或氮化钽作为阻挡层十分有效。
高纯度且高品质的钽和铌粉末在航空航天以及能源工业中，被用作提高涡轮叶片耐腐蚀性的添加剂。
产品
Ta、Nb
应用案例
电容器、溅射靶材、医疗用途、压延产品、电线、热喷涂
钽、铌氧化物粉末
高纯度五氧化二钽和五氧化二铌有助于提高光学透镜的折射率，被用于高端相机和车载相机的光学透镜中。
为提高MLCC（片式多层陶瓷电容器）的性能而添加。
用作声表面波（SAW）滤波器中钽酸锂（LT）和铌酸锂（LN）单晶的原料。
氢氧化铌用作铌化合物的前驱体。
产品
Ta2O5、Nb2O5、Nb（OH）5
应用案例
单晶原料、高纯度应用、光学透镜、压电元件、MLCC、催化剂、合金添加材料、颜料、涂料、铌化合物前驱体
氯化物、化合物
钽和铌等的氯化物和化合物反应性优异。
氯化物可以作为CVD工艺的前驱体应用于半导体制造工艺。
铌化合物可以用作压电元件的材料，用于肿瘤治疗仪器等医疗用途。
在蓄电池制造领域中，添加草酸铌铵，有利用改善电池循环性能。
产品
氯化物: TaCl5、NbCl5、WCl6、MoCl5
化合物：草酸铌铵（NAmOx）、草酸铌、草酸钽、KNbO3、MgNb2O6
应用案例
CVD、合成品、催化剂、涂料、MLCC、半导体用途、颜料、电子陶瓷、PZT用掺杂剂、PMN用前躯体
金属3D打印粉末
我们可提供以钽和铌为中心的球形合金粉末（AMtrinsic®），最适合用于金属3D打印。
钽和铌的生物相容性和非过敏性优异，并且具有高熔点、高耐腐蚀性和在高温下的延展性等特征。
由于热膨胀系数小，且具有优异的导热率和导电率，因此可以应用于医疗、航空航天、化学反应工艺等多种金属3D打印用途。
产品
Ta、Nb、TiNbTa、Ti42Nb、TaW
研发产品
TiTa、高熵合金（HEA）、C103
合金添加材料
铌是具有高熔点、耐腐蚀性和抗氧化性的金属，用作镍、铁、钴基超级合金的添加材料。
镍铌合金具有改善高张力和韧性的功能，因此被用作需要耐热性的超级合金添加材料。
产品
NiNb、Nb2O5
应用案例
合金添加材料
所列产品由TANIOBIS日本株式会社进行销售。
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钽、铌业务部业务企划部
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